Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS138BKT116

NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
BSS138

BSS138BKT116 Hakkında

BSS138BKT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 400mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle küçük sinyal uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 680mΩ maksimum gate-source on-direnci ile düşük güç harcamasını sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilim toleransı ve 2V eşik gerilimi ile kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve lojik seviye dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında ve 200mW güç dağılımında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 47 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 680mOhm @ 400mA, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok