Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS131E6327
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS131
BSS131E6327 Hakkında
BSS131E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 240V drain-source gerilimi ve 110mA sürekli dren akımı ile çalışır. SOT-23-3 kompakt yüzey montajlı paketidir. Maksimum 14Ω on-resistance değeri ve 3.1nC gate charge ile hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Düşük güç tüketimi (360mW max) nedeniyle kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve sinyal işleme devrelerde kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilir. Ürün Obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 77 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 100mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 56µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok