Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS127L6327HTSA1

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS127L6327HTSA1

BSS127L6327HTSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSS127L6327HTSA1, 600V drain-source voltaj dayanımına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. SOT-23-3 yüksek entegrasyon paketinde sunulan bu bileşen, 21mA sürekli drain akımı ve maksimum 500mW güç tüketimi kapasitesiyle tasarlanmıştır. 500Ω maksimum on-direnci (10V gate voltajında 16mA akımda) ve 1nC gate yükü ile düşük sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Yüksek voltaj anahtarlama, EMI filtreleme, güç yönetimi devrelerinde ve low-power uygulamalarında kullanıma uygundur. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 8µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok