Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS127H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS127
BSS127H6327XTSA1 Hakkında
BSS127H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 21mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236-3) SMD paketlemesi ile kompakt tasarımlar için idealdir. 500Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 2.6V olup, ±20V maksimum gate gerilimi dayanımı vardır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, küçük güçlü kontrol devreleri ve yüksek gerilim sensör uygulamalarında tercih edilir. 1nC gate yükü ve 28pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 16mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 8µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok