Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS126L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS126L6327
BSS126L6327HTSA1 Hakkında
BSS126L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel depletion mode MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 21mA sürekli drenaj akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 500Ω maksimum on-state direnci sunar. SOT23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate eşik gerilimi 1.6V'dir. Düşük güç uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, sinyal kontrolü ve lojik seviye shifter uygulamalarında kullanılır. Maksimum 500mW güç tüketimi için tasarlanmıştır. Küçük boyutu ve yüksek gerilim dayanımı sayesinde kompakt tasarımlara uygundur. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 16mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 8µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok