Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS126H6906XTSA1

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS126

BSS126H6906XTSA1 Hakkında

BSS126H6906XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel depletion mode MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında çalışan bu bileşen, maksimum 21mA sürekli dren akımına sahiptir. 10V gate geriliminde 500Ω on-direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, maksimum 500mW güç tüketebilir. Gate charge değeri 2.1nC (@5V) olup hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur. Kompakt SOT-23-3 paket yapısı sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılabilir. Ses amplifikatörleri, anahtar devreleri, yüksek voltaj uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 8µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok