Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS126
BSS126H6327XTSA2 Hakkında
BSS126H6327XTSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 21mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük akım uygulamalarına uygun olup, 500 Ohm maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate eşik gerilimi 1.6V olup ±20V Vgs aralığında çalışır. -55°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 28pF giriş kapasitansı ve 2.1nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir. SOT-23-3 (SC-59) surface mount paketi ile kompakt tasarımlara integre edilebilir. Güç tüketimi maksimum 500mW ile sınırlandırılmıştır. Uygulamalar arasında akım limitlemesi, devre koruma, analog anahtarlama ve düşük güç logic kontrol devreleri bulunur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 16mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 8µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok