Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS126H6327XTSA1

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS126

BSS126H6327XTSA1 Hakkında

BSS126H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir N-Channel Depletion Mode MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim dayanımı ve 21mA sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. SOT23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 500mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Gate eşik gerilimi 1.6V @ 8µA ve 10V gate geriliminde 500Ohm Ron değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Analog anahtarlama, sinyal kontrolü ve düşük güçlü lojik uygulamalarında tercih edilir. Parça obsolete statüsüne geçmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 16mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 8µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok