Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS123W

100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO

Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
BSS123

BSS123W Hakkında

BSS123W, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 160mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip olan BSS123W, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SC-70/SOT-323 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 2.5V gate threshold gerilimi ile hızlı yanıt süresi sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, 298mW maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektronik devrelerde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 298mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 160mA, 10V
Supplier Device Package SOT-323
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok