Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS123LT3G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS123

BSS123LT3G Hakkında

BSS123LT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, küçük sinyal kontrolü ve genel amaçlı transistor işlevleri için tasarlanmıştır. 225mW güç disipasyon kapasitesi ile sınırlı güç uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok