Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS123
BSS123LT1G Hakkında
BSS123LT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilim dayanımı ve 170mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 6Ohm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 225mW güç tüketimini tolere eder. 2.6V eşik gerilimi ve ±20V maksimum Gate-Source gerilimi sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Düşük sinyal işleme, güç yönetimi, motorlu cihazlar ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 225mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 100mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok