Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS123L6433HTMA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS123L6433
BSS123L6433HTMA1 Hakkında
BSS123L6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 170mA sürekli dren akımı (Id) ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 6Ohm maksimum on-state direnci (Rds On) ile anahtarlama işlemlerinde düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. SOT-23-3 (SC-59) paket tipi sayesinde kompakt PCB tasarımlarında yer kazandırır. Anahtarlama devreleri, küçük sinyal yönetimi, logic level kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 2.67nC gate charge ve 69pF input capacitance ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 69 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok