Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS123L

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS123L

BSS123L Hakkında

BSS123L, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Gate eşik gerilimi 2V'ta 1mA akımda tetiklenir. ±20V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışır. 2.5nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Surface Mount SOT-23-3 paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, düşük güç seviyesi sürücü devreleri ve sinyal anahtarlamada yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 21.5 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok