Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS123E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS123
BSS123E6327 Hakkında
BSS123E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. SOT23-3 paketinde sunulan transistör, 10V gate geriliminde 6Ohm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen BSS123E6327, anahtarlama uygulamaları, lojik seviye dönüştürücüler, load switching ve genel sinyal kontrolü gibi alanlarda kullanılır. Düşük gate charge değeri (2.67nC) hızlı komutasyon sağlar. Maksimum 360mW güç tüketimi ile kompakt tasarımların gerçekleştirilmesine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 69 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok