Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS123ATC

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS123

BSS123ATC Hakkında

BSS123ATC, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 6Ohm maksimum RDS(on) değeri ile 10V gate geriliminde verimli çalışır. SOT-23-3 yüzeye monte paketinde sunulan BSS123ATC, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 360mW güç dağılımına kapasite sahiptir. Küçük sinyaller, lojik kontrollü anahtarlamalar, düşük güç dijital ve analog devreler ile portatif cihazlarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok