Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS123ATA

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS123

BSS123ATA Hakkında

BSS123ATA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-23-3 SMD paketinde sunulmaktadır. 6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen BSS123ATA, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında kullanılır. 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiş tasarımı, hızlı komütasyon gerektiren düşük güç uygulamaları için uygundur. 25pF input kapasitansı ile minimal kapasitif yükü vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok