Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS123_R1_00001

SOT-23, MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS123

BSS123_R1_00001 Hakkında

BSS123_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 100V Drain-Source gerilimi ve 170mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 6Ohm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devreleri, ses sinyali işleme, sensör arayüzleri ve düşük akımlı motor kontrolü gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 500mW güç tüketimine kadar dayanıklıdır ve hızlı anahtarlama özelliği ile 1.8nC gate charge değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok