Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS123-G
FET 100V 6.0 MOHM SOT23
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS123
BSS123-G Hakkında
BSS123-G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ile çalışabilen bu komponent, 170mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 2V'dir ve ±20V gate-source gerilim aralığında çalışır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan BSS123-G, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, PWM kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılan genel amaçlı MOSFET transistördür. 360mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve düşük gate yükü (2.5nC) ile enerji verimli tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 73 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 34µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok