Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS123-F2-0000HF
N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
- Üretici
- YANGJIE
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS123
BSS123-F2-0000HF Hakkında
BSS123-F2-0000HF, YANGJIE üretimi N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 200mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 5Ω maksimum on-resistance değerine sahiptir. 2.5nC gate charge ve 14pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, kontrol devreleri, düşük güçlü anahtarlama uygulamaları ve sinyali yönlendirme işlemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 350mW güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok