Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS123-F169

MOSFET N-CH SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS123

BSS123-F169 Hakkında

BSS123-F169, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. SOT-23 (TO-236-3) paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. Maksimum 100V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli drain akımı ile çalışabilir. 10V gate geriliminde 6Ω on-dirençi (RDS on) değerine sahiptir. 2.5nC gate charge ve 73pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun karakteristiğe sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, dijital kontrol uygulamaları ve düşük-sinyal anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Bileşen artık üretilmemekte (obsolete) olup, mevcut stok tükendiğinde yerine geçer modeller değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 73 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok