Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS123 E6433
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS123
BSS123 E6433 Hakkında
BSS123 E6433, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ile 170mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6Ohm maksimum RDS(on) değeri düşük açık direnç sağlayarak verimli anahtarlama performansı sunar. SOT-23-3 (SC-59) kompakt yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 2.67nC gate charge ve 69pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun hale getirir. Düşük güç tüketimi (360mW max) ile genel amaçlı lojik düzeyde anahtarlama, sürücü devreleri ve küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 69 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok