Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSS123-7-F

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS123

BSS123-7-F Hakkında

BSS123-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 10V gate geriliminde 6Ohm on-state direnç değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Düşük güç tüketimi (300mW) nedeniyle taşınabilir cihazlar, ses devreleri, sensör arayüzleri ve genel amaçlı dijital kontrol uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok