Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS119NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS119
BSS119NH6327XTSA1 Hakkında
BSS119NH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 190mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 6Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate eşik gerilimi 2.3V olup ±20V maksimum gate gerilimi ile kontrol edilebilir. Düşük input kapasitanası (20.9pF) hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 500mW maksimum güç yayınıyla LED sürücüleri, anahtarlama devreleri ve düşük akım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20.9 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 190mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok