Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSS119L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSS119
BSS119L6327HTSA1 Hakkında
BSS119L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 170mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate voltajda 6 Ohm on-dirençine sahiptir. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Düşük gate yükü (2.5 nC) ve düşük input kapasitansi (78 pF) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Küçük sinyal anahtarlama, lojik kontrol devreleri, güç yönetimi ve denetim uygulamalarında kullanılır. Maximum 360mW güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok