Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSR802NL6327HTSA1

MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSR802NL

BSR802NL6327HTSA1 Hakkında

BSR802NL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 3.7A sürekli akım kapasitesine sahiptir. SC-59 (SOT-23-3) paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük 23mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. ±8V gate voltaj aralığında çalışarak geniş uygulanabilirlik sunar. Başlangıç eşik voltajı 750mV olup, 4.7nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi, LED sürücüleri, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1447 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 3.7A, 2.5V
Supplier Device Package PG-SC59-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 750mV @ 30µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok