Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSR606NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSR606NH

BSR606NH6327XTSA1 Hakkında

BSR606NH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 60mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. Bu komponent obsolete (üretilmiyor) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 657 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.3A, 10V
Supplier Device Package PG-SC59-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 15µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok