Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSR316PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 100V 360MA SC59

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSR316PH

BSR316PH6327XTSA1 Hakkında

BSR316PH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 360mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 1.8Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SC-59 (SOT-23-3) SMD pakajda sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Güç yönetimi devrelerinde, USB koruma uygulamalarında ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 7nC gate charge ile hızlı anahtarlama yapabilen ekonomik bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 360mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 165 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Supplier Device Package PG-SC59-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 170µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok