Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSR315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSR315PL
BSR315PL6327HTSA1 Hakkında
BSR315PL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 620mA sürekli drain akımı (Id) ile hafif güç uygulamalarında kullanılır. 800mΩ maksimum Rds On değeri ile anahtarlama işlevlerinde verimli çalışır. TO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) yüzey montajı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Maksimum 500mW güç dağıtabilir. 6nC gate charge ve 176pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. Genel amaçlı düşük güçlü MOSFET uygulamaları, aydınlatma kontrolü, güç yönetimi ve sinyali anahtarlamada tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 620mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 176 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 620mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SC59-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 160µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok