Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSR315PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSR315PH
BSR315PH6327XTSA1 Hakkında
BSR315PH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 620mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 800mOhm maksimum açık kanal direnci (RDS On) ile karakterize edilen bu transistör, 4.5V ile 10V arasında sürülüp kapatılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 500mW maksimum güç tüketimi özelliklerine sahip BSR315PH, analog anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve düşük güçlü DC motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük gate şarjı (6nC @ 10V) ve düşük giriş kapasitansi (176pF @ 25V) özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 620mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 176 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 620mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SC59-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 160µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok