Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSR302NL6327HTSA1

MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSR302NL

BSR302NL6327HTSA1 Hakkında

BSR302NL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 3.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SC-59 (SOT-23-3) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 23mΩ maksimum kanal direnci (RDS On) ile çalışır. Gate kapasitesi 750pF, gate yükü ise 6.6nC değerlerindedir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 500mW güç tüketebilir. Düşük voltaj anahtarlama uygulamaları, sinyal işleme devreleri ve genel amaçlı dijital lojik kontrol devrelerinde kullanılır. Bileşen artık üretim dışı (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 3.7A, 10V
Supplier Device Package PG-SC59-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 30µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok