Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP88L6327HTSA1

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP88L6327H

BSP88L6327HTSA1 Hakkında

BSP88L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 240V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli drenaj akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SOT223-4 (TO-261-4) yüzey montajı paketi ile kompakt tasarımları destekler. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 1.7W maksimum güç kaybı ile termal performans açısından uygun bir seçenektir. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol alanına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 95 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 108µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok