Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP88E6327
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP88E6327
BSP88E6327 Hakkında
BSP88E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 240V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, 6Ω maksimum RDS(on) değeriyle düşük geçiş direnci sunar. SOT223-4 (TO-261AA) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1.4V gate threshold gerilimi ve 6.8nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreler, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 1.7W güç tüketimiyle sınırlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 108µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok