Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP716NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP716NH
BSP716NH6327XTSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSP716NH6327XTSA1, 75V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 2.3A sürekli drain akımı kapasitesi ve 160mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT223-4 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrolü, güç anahtarlaması, load switching ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 13.1nC gate charge ve 315pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Not For New Designs statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 218µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok