Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP615S2L
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP615S2L
BSP615S2L Hakkında
BSP615S2L, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen BSP615S2L, düşük kapasitans ve hızlı geçiş özellikleriyle kompakt tasarımlar için uygundur. (Not: Ürün Obsolete statüsündedir)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 12µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok