Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP613PL6327HUSA1
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP613
BSP613PL6327HUSA1 Hakkında
BSP613PL6327HUSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ve 2.9A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-261-4 (SOT223-4) paketinde sunulan bu bileşen, 130mΩ maksimum kanal direnci ve 33nC gate yükü ile endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal işleme devrelerinde yerini almaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.8W güç tüketimini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 875 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok