Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP613P
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP613P
BSP613P Hakkında
BSP613P, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V Vdss ile yüksek voltaj uygulamalarında, 2.9A sürekli drain akımı ile orta güç seviyesinde çalışmak için tasarlanmıştır. 130mOhm (10V, 2.9A) RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği gösterir. SOT223-4 (TO-261AA) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, dijital lojik seviyesi ile direkt sürülebilir (10V gate sürücü voltajında çalışır). Genellikle invertör, şarj kontrol ve yük anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 875 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok