Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP603S2LHUMA1
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP603S2
BSP603S2LHUMA1 Hakkında
BSP603S2LHUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 5.2A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. 10V gate-source geriliminde 33mOhm on-state direnci (RDS On) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT223-4 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Maksimum 42nC gate yükü (Qg) hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. LED sürücüleri, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve düşük gerilim DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok