Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP373NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP373NH
BSP373NH6327XTSA1 Hakkında
BSP373NH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli drain akımı ile çalışmaya uygun olan bu bileşen, SOT223-4 paket tipiyle surface mount uygulamalarında kullanılır. 240mOhm maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde) ile güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük gate yükü (9.3nC) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 265 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 218µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok