Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP373L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP373L6327
BSP373L6327HTSA1 Hakkında
BSP373L6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 300mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. 10V gate voltajı ile çalışır ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 550pF giriş kapasitesi ve 1.8W güç dağıtımı özellikleriyle anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 4V eşik gerilimi ile hızlı açılış-kapanış geçişleri yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok