Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP373E6327

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP373

BSP373E6327 Hakkında

BSP373E6327, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 300mΩ maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-261-4 (PG-SOT223-4) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, anahtarlama devreler, DC-DC konvertörler ve solenoid sürücü uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.7A, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok