Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP373 E6327

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP373

BSP373 E6327 Hakkında

BSP373 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 1.7A sürekli dren akımı (Id) ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 300mOhm on-direnci (Rds On) ile anahtarlama kayıplarını minimuma indirir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, SOT223-4 yüzey montajlı paket ile PCB alanı tasarrufu sağlar. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve genel amaçlı dijital uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 1.8W güç tüketimi ile düşük enerji gerektiren tasarımlar için uygun.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.7A, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok