Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP324H6327XTSA1

MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP324H6327XTSA1

BSP324H6327XTSA1 Hakkında

BSP324H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli dren akımına sahip bu bileşen, SOT223-4 (PG-SOT223-4) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. 25Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlayan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu cihaz, 1.8W maksimum güç yayılımı ile sınırlıdır. 2.3V threshold voltajı ve 5.9nC gate charge değerleri hızlı ve etkili anahtarlama performansı sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 154 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok