Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSP324 E6327

MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP324

BSP324 E6327 Hakkında

BSP324 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source voltaj derecelendirilmesi ve 170mA sürekli drain akımı özelliğine sahip bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. SOT223-4 (PG-SOT223-4) yüzey montaj paketinde sunulan BSP324, 25Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışır. Gate eşik voltajı 2.3V olup, ±20V maksimum gate voltajı ile çalıştırılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 1.8W güç tüketimi ile sınırlı olması nedeniyle, düşük-orta güç endüstriyel kontrol devreleri, LED sürücüleri ve kompakt güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. Bileşenin üretimi durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 154 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok