Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP322PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP322PL
BSP322PL6327HTSA1 Hakkında
BSP322PL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 1A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, SOT223-4 yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. 10V gate voltajında 800mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve kontrol uygulamalarında kullanılır. Gate charge 16.5nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 1.8W güç saçabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 372 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 380µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok