Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP322PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP322
BSP322PH6327XTSA1 Hakkında
BSP322PH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 1A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT223-4 (TO-261-4) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 800mΩ maksimum RDS(on) değeri (10V gate geriliminde, 1A drenaj akımında) ve 1.8W maksimum güç tüketimi ile anahtarlama devreleri, yük kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, düşük gate charge (16.5nC) nedeniyle hızlı switching işlemleri gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 372 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 380µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok