Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP321PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP321
BSP321PL6327HTSA1 Hakkında
BSP321PL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 980mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V sürücü geriliminde 900mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount SOT223-4 paketinde tedarik edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.8W güç saçabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve ters polarite koruması gibi alanlarda kullanılır. Gate threshold voltajı 4V (380µA'de) ile hızlı komütasyon özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 980mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 319 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 980mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 380µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok