Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP321PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP321
BSP321PH6327XTSA1 Hakkında
BSP321PH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim kapasitesine ve 980mA sürekli drenaj akımına sahiptir. SOT223-4 paketinde sunulan bu bileşen, 900mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. Power dissipation kapasitesi 1.8W olup, anahtarlama devreleri, düşük güçlü motor kontrolleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Hızlı anahtarlama özelliği ve düşük gate charge değeri (12nC @ 10V) sayesinde verimli çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 980mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 319 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 980mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 380µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok