Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP320SH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP320SH6327
BSP320SH6327XTSA1 Hakkında
BSP320SH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 2.9A sürekli Drain akımı ile tasarlanmıştır. 120mΩ maximum on-state direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-261-4 (SOT223) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, düşük sıcaklık katsayısı ve hızlı anahtarlama özelliği nedeniyle güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve çeşitli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4V threshold voltajı ile standart lojik seviyelerinden kolayca kontrol edilebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok