Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP318SL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP318
BSP318SL6327HTSA1 Hakkında
BSP318SL6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 2.6A sürekli akım yeteneğine sahiptir. SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 90mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazda ±20V gate voltajında kullanılabilir. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 1.8W maksimum güç tüketimi özelliğiyle kompakt tasarımlar için uygundur. Bileşen artık üretilmemekte olup, stok kalmadıkça temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok