Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSP317PE6327
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSP317
BSP317PE6327 Hakkında
BSP317PE6327, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 250V Drain-Source gerilimi ve 430mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. SOT223-4 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 4Ω maksimum RDS(on) değeriyle verimli komütasyon sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yer alan güç yönetimi devrelerinde, LED sürücülü uygulamalarda ve batarya şarj kontrol sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 430mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 262 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 430mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 370µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok